Hynix是非常知名的内存品牌，以前称为Hyundai（现代）。在前两年的DIY市场，大家常用的LGS内存已被Hynix收归门下，所以现代的内存芯片会出现以上三种品牌，最新的当然是Hynix。下面，就向大家介绍现代SDRAM、DDR SDRAM、DRDRAM内存芯片的编号规则。

　　一、SDRAM内存芯片的旧编号

　　第1字段由HY组成，代表现代（Hynix）内存芯片的前缀。
　　第2字段表示产品类型。57代表SDRAM内存；5D代表DDR SDRAM内存。
　　第3字段表示工作电压。U代表CMOS、2.5V电压；V代表CMOS、3.3V电压。
　　第4字段表示密度与刷新速度。4代表4Mbit密度、1K刷新速度；16代表16Mbit密度、4K刷新速度；64代表64Mbit密度、8K刷新速度；65代表64Mbit密度、4K刷新速度；129代表128Mbit密度、4K刷新速度；257代表256Mbit密度、8K刷新速度。
　　第5字段表示内存结构。40代表×4；80代表×8；16代表×16；32代表×32。
　　第6字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。1代表2Bank；2代表4Bank。
　　第7字段表示电气接口。0代表LVTTL；1代表SSTL；2代表SSTL_2。
　　第8字段表示内存芯片的修正版本。空白代表第1版；A代表第2版；B代表第3版；C代表第4版；D代表第5版。
　　第9字段表示功率消耗能力。空白代表正常功耗；L代表低功耗。
　　第10字段表示内存芯片的封装方式。TC代表400mil TSOPII封装；TQ代表100Pin- TQFP封装。
　　第11字段表示内存芯片的速度标识。5代表5ns（200MHz）；55代表5.5ns（183MHz）；6代表6ns（166MHz）；7代表7ns（143MHz）；75代表7.5ns （133MHz）；8代表8ns （125MHz）；10P代表10ns （100MHz CL=2或3）；10S代表10ns （100MHz CL= 3）；10代表10ns （100MHz）；12代表12ns （83MHz）；15代表15ns （66MHz）。

　　小提示：大家不要以为速度标识为10P、10S和10的SDRAM内存就一定符合PC100规范。实际上只有速度标识为10P和10S的SDRAM内存才符合PC100规范，而速度标识为10的SDRAM内存只是PC66。

　　第12字段表示工作温度类型（此字段也可空白）。I代表工业温度；E代表扩大温度。

　　二、LGS SDRAM内存芯片的旧编号

　　第1字段由GM组成，代表LGS内存芯片的前缀。
　　第2字段表示产品类型。72代表SDRAM内存。
　　第3字段表示工作电压。V代表CMOS、3.3V电压。
　　第4字段表示密度与刷新速度。16代表16Mbit密度、4K刷新速度；17代表16Mbit密度、2K刷新速度；64代表64Mbit密度、16K刷新速度；65代表64Mbit密度、8K刷新速度；66代表64Mbit密度、4K刷新速度；28代表128Mbit密度、4K刷新速度。
　　第5字段表示内存结构。4代表×4；8代表×8；16代表×16；32代表×32。
　　第6字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。1代表1Bank；2代表2Bank；4代表4Bank；8代表8Bank。
　　第7字段表示电气接口。1代表LVTTL。
　　第8字段表示内存芯片的修正版本。空白代表原版本；A代表第1版；B代表第2版；C代表第3版；D代表第4版；E代表第5版；F代表第6版。
　　第9字段表示功率消耗能力。空白代表正常功耗；L代表低功耗。
　　第10字段表示内存芯片的封装方式。T代表TSOP封装（正常）；R代表TSOP封装（颠倒）；I代表BLP封装；S代表Stack封装。
　　第11字段表示内存芯片的速度标识。6代表166MHz；65代表153MHz；7代表143MHz；75代表133MHz；8代表125MHz；7K代表PC100、2-2-2（tCK=10ns、CL=2、tAC=6ns）；7J代表PC100、3-2-2（tCK=10ns、CL=3、tAC=6ns）；10K代表PC66（tCK=15ns、CL=2、tAC=9ns）；10J代表PC66（tCK=10ns、CL=3、tAC=9.5ns）；12代表83MHz；15代表66MHz。

　　三、SDRAM内存芯片的新编号

　　第1字段由HY组成，代表现代（Hynix）内存芯片的前缀。
　　第2字段表示产品类型。57代表SDRAM内存。
　　第3字段表示工作电压。V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为3.3V；Y代表VDD电压为3.0V、VDDQ电压为3.0V；U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V；W代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为1.8V；S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V。
　　第4字段表示密度与刷新速度。16代表16Mbit密度、2K刷新速度；32代表32Mbit密度、4K刷新速度；64代表64Mbit密度、4K刷新速度；28代表128Mbit密度、4K刷新速度；2A代表128Mbit密度（TCSR）、4K刷新速度；56代表256Mbit密度、8K刷新速度；12代表512Mbit密度、8K刷新速度。
　　第5字段表示内存结构。4代表×4；8代表×8；16代表×16；32代表×32。
　　第6字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。1代表2Bank；2代表4Bank。
　　第7字段表示电气接口。0代表LVTTL；1代表SSTL_3。
　　第8字段表示内存芯片的修正版本。空白或H代表第1版；A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。也有一些特殊的编号规则，如：编号为HY57V64420HFT是第7版；编号为HY57V64420HGT和HY57V64820HGT是第8版；编号为HY57V28420AT是第3版；编号为HY57V56420HDT是第5版。
　　第9字段表示功率消耗能力。空白代表正常功耗；L代表低功耗；S代表超低功耗。
　　第10字段表示内存芯片的封装方式。T代表TSOP封装；K代表Stack封装（Type1）；J代表Stack封装（Type2）。
　　第11字段表示内存芯片的封装材料。空白代表正常；P代表Pb free；H代表Halogen free；R代表Pb Halogen free。
　　第12字段表示内存芯片的速度标识。5代表200MHz；55代表183MHz；6代表166MHz；7代表143MHz；K代表PC133（CL=2）；H代表PC133（CL=3）；8代表125MHz；P代表PC100（CL=2）；S代表PC100（CL=3）；10代表100MHz。
　　第13字段表示工作温度类型（此字段也可空白）。I代表工业温度；E代表扩大温度。

　　四、DDR SDRAM内存芯片的编号

　　第1字段由HY组成，代表现代（Hynix）内存芯片的前缀。
　　第2字段表示产品类型。5D代表DDR SDRAM内存；5P代表DDR-II内存。
　　第3字段表示工作电压。V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为2.5V；U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V；W代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为1.8V；S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V。
　　第4字段表示密度与刷新速度。64代表64Mbit密度、4K刷新速度；66代表64Mbit密度、2K刷新速度；28代表128Mbit密度、4K刷新速度；56代表256Mbit密度、8K刷新速度；12代表512Mbit密度、8K刷新速度；1G代表1Gbit密度、8K刷新速度。
　　第5字段表示内存结构。4代表×4；8代表×8；16代表×16；32代表×32。
　　第6字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。1代表2Bank；2代表4Bank；3代表8Bank。
　　第7字段表示电气接口。1代表SSTL_3；2代表SSTL_2；3代表SSTL_18。
　　第8字段表示内存芯片的修正版本。空白代表第1版；A代表第2版；B代表第3版；C代表第4版。
　　第9字段表示功率消耗能力。空白代表正常功耗；L代表低功耗。
　　第10字段表示内存芯片的封装方式。T代表TSOP封装；Q代表LQFP封装；F代表FBGA封装；S代表Stack封装（Hynix）；K代表Stack封装（MT）；J代表Stack封装（其它）。
　　第11字段表示内存芯片的封装材料。空白代表正常；P代表Pb free；H代表Halogen free；R代表Pb Halogen free。
　　第12字段表示内存芯片的速度标识。26代表375MHz；28代表350MHz；3代表333MHz；33代表300MHz；36代表275MHz；4代表250MHz；43代表233MHz；45代表222MHz；5代表200MHz；55代表183MHz；6代表166MHz；D4代表DDR400；D5代表DDR533；J代表DDR333；M代表DDR266 2-2-2；K代表DDR266A；H代表DDR266B；L代表DDR200。
　　第13字段表示工作温度类型（此字段也可空白）。I代表工业温度；E代表扩大温度。

　　五、DRDRAM内存芯片的编号

　　第1字段由HY组成，代表现代（Hynix）内存芯片的前缀。
　　第2字段表示产品类型。5R代表DRDRAM内存。
　　第3字段表示工作电压。空白代表CMOS、1.5V电压；W代表CMOS、1.8V电压。
　　第4字段表示密度与刷新速度。64代表64Mbit密度、8K刷新速度；72代表72Mbit密度、8K刷新速度；128代表128Mbit密度、8K刷新速度；144代表144Mbit密度、8K刷新速度；256代表256Mbit密度、16K刷新速度；288代表288Mbit密度、16K刷新速度。
　　第5字段表示内存芯片的修正版本。空白或H代表第1版；A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版；D或HD代表第5版。
　　第6字段表示内存芯片的封装方式。E代表Edge Bonding封装；C代表Center Bonding封装；M代表Mirror封装。
　　第7字段表示工作频率。6代表600MHz；7代表711MHz；8代表800MHz。
　　第8字段表示内存芯片的速度标识，此速度是指tRAC（Row Access Time）。40代表40ns；45代表45ns；50代表50ns；53代表53ns。
　　对于以上所列的五种现代内存编号的含义，大家是不是看了以后有一种似懂非懂的感觉。笔者再教大家查看内存条总容量的简便方法，只需查看“密度与刷新速度”字段。如果密度是64Mbit，则表示一片内存芯片的容量为8MB(64Mbit÷8)。现在再数数内存条的正反两面的内存芯片数量（有些带ECC功能的内存条是会多加一片内存芯片，不要将它计算在内），我想大家就不难计算出这条内存条有多大容量了吧！

[ 本帖最后由 toto 于 2008-3-28 10:58 编辑 ]

现代内存编号示意图

　　A部分标明的是生产此颗粒企业的名称——Hynix。B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。

　　C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频率、延迟参数不同，分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。

　　D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。

内存颗粒编号所隐藏的含义

原文出自→ IT168 DIY烧友会 http://diybbs.it168.com 本贴地址:http://diybbs.it168.com/viewthread.php?tid=99170
每个内存颗粒上，都有一长串的标号，其中隐藏了很多内存的性能指标，现作简单介绍
现在市场上较多的颗粒有samsung、Hynix、ELPIDA等等，限制简述这三种：
samsung：
例如K4751083QC   ZCE7这串号
其中K47---------DDRII，51---------512M，08--------位宽x8，Z-------NoPb FBGA，C------P~W，E7-------频率
Hynix：
例如Hy5PS12821A，FP-S5
其中5P-------DDRII，12------512M，8-------位宽x8，F------FBGA，P------NoPb，S5------频率
ELPIDA：
例如E2508AB-GE-E
其中E-------DDRII，25------256M/4BANKS，08-------位宽x8，GE--------频率，E-------NoPb


各品牌频率对照
Hynix：C3：3-3-3@   533MHZ
             C4：4-4-4@   533MHZ
             C5：5-5-5@   533MHZ
             Y4：4-4-4@    667MHZ
             Y5：5-5-5@    667MHZ
             Y6：6-6-6@    667MHZ
             S5：5-5-5@    800MHZ
             S6：6-6-6@    800MHZ

SAMSUNG：D5：4-4-4@   533MHZ
                    E6：5-5-5@    667MHZ
                    E7：5-5-5@    800MHZ
ELPIDA：5C：4-4-4@   533MHZ
                6C：4-4-4@    667MHZ
                6E：5-5-5@    667MHZ
                GE：5-5-5@    800MHZ
Infineon：3.7：4-4-4@   533MHZ
                 3：4-4-4@    667MHZ
                 3S：5-5-5@    667MHZ
                  25F：5-5-5@    800MHZ
                  2.5：6-6-6@    800MHZ

1、海力士(Hynix)

·海力士DDR2内存颗粒的第一排编号通常由HY开头
·第3、4位“5P”代表DDR2
·第5位“S”代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V
·第6、7位代表容量，本例中“12”代表512Mb，其它如“28”为128Mb、“56”为256Mb、“1G”为1Gb、“2G”为2Gb。该值除以8即为单颗容量，再乘以颗粒数便是整条内存的容量
·第8、9位代表颗粒位宽，如果为“4”和“8”，则只占编号中的第8位，如本例所示；如果为“16”和“32”，则占第8、9位
·第10位代表逻辑Bank数。其中“1”为2Banks，“2”为4Banks，而“3”为8Banks
·第11位代表接口类型。比如“1”为SSTL_18，另外，“2”为SSTL_2
·第12、13位代表产品的规格，比如C4：速度为DDR2 5333 4-4-4，如果是S6则为DDR2 800 6-6-6、S5则为DDR2 800 5-5-5、Y6为DDR2 677 6-6-6、Y5为DDR2 677 5-5-5、Y4为DDR2 677 4-4-4、C5为DDR2 533 5-5-5、C3为DDR2 533 3-3-3，字母越靠后越好

　　海力士内存颗粒的超频性一向不错，比如C5、C3，特别是目前代号S6的DDR2-800内存颗粒比较好超，一般都可以超到1000MHz的水准，因此对于组建扣肉、AM2超频平台的朋友来说，是极不错的选择

　　常采用的内存模块厂商：很多品牌的DDR2内存都有采用海力士DDR2内存颗粒，如创见、威刚、超胜等

 

2、三星(Samsung)

·三星DDR2内存颗粒的第一排编号通常由K4开头，代表Memory DRAM的意思
·第三位“T”代表内存为DDR2内存
·第四、第五位代表容量，其中51代表512MB容量，如果为56则是256MB容量，1G为1GB容量，2G为2GB容量
·第六、第七位代表位宽，08：×8位宽，如果是04则位宽为×4、06为×4 Stack、07为×8 Stack、08为×8、16为×16
·第八位代表逻辑Bank，其中“3”的逻辑Bank数量为4Banks，如果是4则为8Banks
·第九位代表接口类型，一般为“Q”，表示接口类型工作电压为SSTL 1.8V
·第十位代表颗粒版本，其中“B”代表的产品版本为3rd Generation，C为4th Generation，DEFGH依此类推、越新越好
·第十一位代表封装类型，其中“G”代表封装类型为FBGA，如果是S则为FBGA(Small)、Z为FBGA-LF、Y则为FGBA-LF(Small)
·第十二位代表功耗类型，其中“C”表示普通能耗，如果是L则为低能耗
·第十三、十四位代表内存速度，其中D5：速度为DDR2 533 4-4-4，如果是D6则为DDR2 677 4-4-4，如果是E6则为DDR2 677 5-5-5，如果是F7则为DDR2 800 6-6-6。总体来说，三星DDR2内存颗粒的超频性能都不错，即便是D5、E6的DDR2颗粒，也可以超到700MHz、800MHz的水准。

　　常采用三星内存颗粒的内存模块厂商：三星、金士顿、创见、超胜、Apacer等厂商

 

3、英飞凌(Infineon)

　　提起 Infineon(中文名：英飞凌)这家由德国西门子(Siemens)公司半导体部改组而来的世界顶级半导体芯片制造商，其生产的内存颗粒一直被全世界的电脑玩家狂热推崇，笔者也相信国内不少的电脑玩家已经是它的忠实FANS了。英飞凌DDR2内存颗粒编号也象上面海力士、三星一样有规可循，我们可以将其分成9部分来解读内存规格，下面我们以“HYB18T256800AF25”为例：

·HYB：就像现代的HY、三星的K4一样是为英飞凌内存颗粒的编号的前缀
·18：工作电压为1.8V
·T：DDR2
·256：容量为256MB，如果是512则为256MB，1G则为1GB
·80：位宽为×8，如果是40位宽则为×4，如果是16位宽则为×16
·0：Standard product(标准产品)
·A：封装版本
·F：封装形式为FBGA
·25：表示这是一款DDR2 800颗粒，如果是37则为DDR2 533(4-4-4)，如果是3则为DDR2 677(4-4-4)。在速度标准中，英飞凌的芯片还有一种3S的参数，代表DDR2-667(5-5-5)。

　　英飞凌DDR2颗粒在品质上都属于上乘货色，超频性也不错，目前采用英飞凌颗粒的厂商有Infineon、金士顿、宇瞻等内存模块厂商

 

4、尔必达(ELPIDA)

　　在DDR时代，ELPIDA这个品牌对于广大国内用户来说还很陌生，这家专业内存模组制造商其实是由原来NEC和日立分别出资50%股份建造的合资公司，也是日本最大的台式PC和笔记本内存模组/颗粒生产商。不过随着DDR2内存上市，很多产品上都能见到尔必达颗粒。下面我们就以介绍“E2508AB-GE-E”为例来介绍尔必达内存颗粒编号的含义：

·尔必达DRR2内存颗粒的编号的第1位“E”代表DDR2
·第2、3位代表容量/逻辑Bank数。本例中“25”为256Mb/4Banks，而“51”为512Mb/4Banks、“11”为1Gb/8Banks
·第4、5位代表位宽。本例中"08"代表x8，其它如“04”代表x4、“16”代表x16
·第6位代表接口类型。“A”代表SSTL_1.8
·第7位是产品代数，“B”为第二代，字母顺序越靠后越好
·第9、10位代表运行速度，本例中“GE”为5-5-5@DDR2 800
·第12位代表材料。“E”为无铅

　　尔必达颗粒的品质也非常好，且超频性也不错，是部分懂行内存发烧友的至爱。比如KingMAX、GEIL、威刚不少超频内存就是采用此类DDR2颗粒，一般都可以从DDR2-677超到DDR2-800的规格。采用英飞凌颗粒的厂商有KingMAX、GEIL、威刚、PQI(劲永)等内存模块厂商

 

5、美光(Micron)

　　美光的DDR2内存芯片编号比较特别，封装上的编号并不是正规的编号，从编号上一般只能识别出这是颗粒的生产日期和产地编号，但是在芯片上也找不到美光所公布的正规编号。对于这种情况，用户只需将颗粒表面的第二行编号(又称为FBGA码)输入到相关页面上(http://www.micron.com/support/fbga/decoder.aspx)查询规格。

　　值得一提的是，虽然从编号识美光内存颗粒的规格还有一定的障碍，但仍有几款内存颗粒的超频性能特别优异，它们就是被玩家称为“fatboy d9”的D9内存颗粒。D9内存颗粒最早的编号全称为“FBGA D9”，由于五位编号会以“D9”为起始，所以也被称为“D9”颗粒。

　　“Fatboy”D9昵称的由来是其110纳米制造工艺导致的芯片体积，然而先进工艺=更好性能的惯例此次被打破，这种样子夸张的内存芯片对工作电压的提高有极好的正面反馈，2.4V以上工作电压的“Fatboy”D9芯片DDR2 400/533内存模组有很多可以把内存时序调节到3-2-2(DDR2 SDRAM支持的最快时序)并且工作在DDR2-800以上的频率上，如果是4-3-2设定，这些怪物突破DDR2-1000频率也不是难事。

　　要知道这样的成绩是在04、05年生产的DDR2-400/533内存芯片上实现的，其他厂商的DDR2 SDRAM内存芯片的超频能力根本无法望其项背。此前Crucial、CORSAIR、mushkin、Patriot、OCZ、GEIL等多家DDR2 533超频内存大多数就是采用此类内存颗粒。但也不是所有的D9都好超，像绿色PCB上的就是普通颗粒，超频能力并不理想。

　　除了“FBGA D9”颗粒之外，美光还推出了D9GKX、D9GHM、D9DCN等新的D9颗粒。其中该系列内存精选口碑出众的镁光D9GMH颗粒，在MT将DDR2内存颗粒制程由110纳米转向90纳米后，FATBODYD9就很少见到了，取而代之的就是现在很多内存厂商封装记忆体时优先选用的小D9颗粒。这些编号为D9GMH、D9GCT、D9GKX等的新一代内存芯片在保持接近“Fatboy”D9低时序能力和对电压敏感的前提下，把4-4-4时序下的频率上限提高到了DDR2-1100附近！而极限运行频率更达到约1200MHz！能实现如此超频目标的芯片本身规格仍旧是DDR2-533/667。

[ 本帖最后由 toto 于 2008-3-28 11:06 编辑 ]